Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (2) | Журнали та продовжувані видання (1) | Реферативна база даних (55) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Smyntyna V$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 20 Представлено документи з 1 до 20 |
|||
| 1. | 
Smyntyna V. A. Bibliography [Електронний ресурс] / V. A. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 5-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_3 | ||
| 2. |
Tereshchenko A. TiO2-porphyrin nanostructures for Amino Acid Detection [Електронний ресурс] / A. Tereshchenko, R. Viter, I. Konup, V. Ivanitsa, S. Geveliuk, Yu. Ishkov, V. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 8-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_4 | ||
| 3. |
Iatsunskyi I. R. Detection of ammonia molecules using optical reflectance from nanostructured silicon surface [Електронний ресурс] / I. R. Iatsunskyi, V. A. Smyntyna, M. M. Pavlenko // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 66-71. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_12 The reflectance properties of various porous silicon structures after ammonia adsorption were investigated. It was shown that increasing of ammonia concentration in the measurement chamber leads to an increase of the optical reflectance. The most sensitive structures for ammonia detection are porous silicon having approximately size of pores - 10 - 15 <$E mu>m. | ||
| 4. |
Borschak V. A. Microstructural features and componential analysis of thin film CdS-Cu2S photosensing structures as element of image sensor [Електронний ресурс] / V. A. Borschak, V. A. Smyntyna, IE. V. Brytavskyi, S. V. Zubritskiy, M. I. Kutalova, Ya. I. Lepikh // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 98-102. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_17 The mechanisms of signal relaxation, associated with the removal processes of nonequilibrium charge from the space charge region of the image sensor on the basis of non-ideal heterojunction were investigated. The mechanism of the observed two-stage process was determined. Microscopic techniques (AFM, SEM) were used to estimate HJ properties (grain size, roughness) and their relations with HJ processing parameters. Novel results concerning CdS - Cu | ||
| 5. |
Smyntyna V. A. Topological features of tin dioxide films obtained from the Bis(acetylacetonato)dichlorotin complexes [Електронний ресурс] / V. A. Smyntyna, L. M. Filevska, O. V. Sviridova // Фотоэлектроника. - 2013. - № 22. - С. 112-116. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2013_22_20 The paper presents the surface morphology studies of tin dioxide nanoscale films produced from Bis(acetylacetonato)dichlorotin complexes of different concentrations. The films are agglomerates of several nanoscale grains. The film's grain size dependence on the number of Bis(acetylacetonato)dichlorotin in the initial solution is established. Dependencies for each type of precursors differ from each other. | ||
| 6. |
Grinevych V. S. Influence of a precursor properties on the surface morphology of nanoscale tin dioxide films [Електронний ресурс] / V. S. Grinevych, V. A. Smyntyna, L. M. Filevska // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 13-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_4 Приведены результаты исследований морфологии поверхности наноразмерных пленок двуокиси олова в зависимости от особенностей получения комплексов прекурсора для их получения. Использованные прекурсоры различаются только особенностями приготовления на последнем этапе, что определяет различное содержание в их составе связанной воды. При термическом разложении комплекса вода в его составе выполняет функцию разрыхления, что позволяет получать пленки двуокиси олова с нанозернами разного размера в зависимости от типа прекурсора. | ||
| 7. |
Smyntyna V. A. Influence of the surface on the spectrum of luminescence of cds nanocrystals in gelatine matrixs [Електронний ресурс] / V. A. Smyntyna, V. M. Skobeeva, N. V. Malushin // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 50-56. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_10 Исследованы оптическое поглощение и люминесценция нанокристаллов (НК) CdS разного размера, полученных методом коллоидной химии в водном растворе желатины. В НК с радиусом 1,8 нм наблюдается только длинноволновое свечение с <$E lambda sub max~=~580> нм, обусловленное поверхностными дефектами. В НК большего размера (3,5 нм) вклад рекомбинации с участием поверхностных дефектов уменьшается, происходит перераспределение каналов рекомбинации в пользу рекомбинации неравновесных носителей в объеме нанокристаллов сульфида кадмия и спектре их люминесценции зарегистрирована интенсивная экситонная полоса свечения. | ||
| 8. |
Kiss A. V. Influence of nanocrystallite sizes on the absorption spectrum of cds nanocrystals [Електронний ресурс] / A. V. Kiss, V. A. Smyntyna, S. V. Zubritskiy // Фотоэлектроника. - 2012. - № 21. - С. 96-100. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2012_21_18 Процесс синтеза нанокристаллов проведен двумя различными методами: с помощью покапельного введения водного раствора сульфида натрия в водный раствор нитрата кадмия; путем продувки сероводорода в емкости с водным раствором нитрата кадмия. Отработана технология получения нанокристаллических образований с коллоидных растворов по двум методам, найдены условия и необходимые концентрации реагентов для получения нанокристаллов заданного размера. Определены характерные размеры нанокристаллов по спектрам оптического поглощения. С помощью полученных данных рассчитан энергетический спектр уровней, характерных для данных объектов. Хорошее совпадение полученных значений с теоретическими данными подтвердает возможность использования приближения о форме нанокристаллов как сферических полупроводниковых квантовых точках. | ||
| 9. |
Iatsunskyi I. R. One and two-phonon raman scattering from nanostructured silicon [Електронний ресурс] / I. R. Iatsunskyi, G Nowaczyk, M. M. Pavlenko, V. V. Fedorenko, V. A. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 44-53. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_7 Надано дослідження комбінаційного розсіяння (КРС) наноструктурованого кремнію, одержаного за допомогою методу хімічного неелектролітичного травлення. Надано інтерпретацію спостережуваних одно- та двофононних піків КРС. Виявлено, що піки КРС першого та другого порядку зміщуються і розширюються щодо піка об'ємного кремнію. Дане явище проаналізовано в межах фононного конфайнмента з урахуванням механічних напружень. Широкий пік ВРХ другого порядку в області 900 - 1100 см<^>-1 | ||
| 10. |
Borschak V. A. Modelling of rapid stage decay of signal of optical sensor based on heterostructure CdS-Cu2S [Електронний ресурс] / V. A. Borschak, V. A. Smyntyna, Ie. V. Brytavskyi // Фотоэлектроника. - 2014. - № 23. - С. 152-155. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2014_23_22 Проведено моделювання, розрахунок та аналіз просторового розподілу концентрації заряду, локалізованого в області просторового заряду гетеропереходу, зміни цього розподілу з часом за різного початкового заповнення глибоких центрів-пасток нерівноважними дірками. В межах викладеної моделі проведено теоретичний розрахунок обох характерних стадій релаксації струму, продемонстровано відповідність розрахункових та експериментально одержаних залежностей.Проведено комплекс досліджень, спрямованих на з'ясування відхилень від стехіометрії сполуки CuxS у процесі її формування та з подальшим плином часу для встановлення особливостей зміни хімічного складу компонентів гетеропереходу. Враховуючи, що питання про зв'язок ступеня та розподілу стехіометрії в шарі сульфіду міді з оптоелектричними властивостями гетероструктури є відкритим, інформативним і надзвичайно важливим для практичного впровадження розробленого сенсора, для великої вибірки зразків проведено електрохімічний аналіз і дослідження за допомогою методу рентгенівської дифрактометрії. | ||
| 11. | 
Smyntyna V. A. Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing [Електронний ресурс] / V. A. Smyntyna, O. V. Sviridova // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 1. - С. 74-78. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_1_16 The type, density, and distribution of defects in initial and oxidated monocrystalline silicon wafers were studied by modern methods. It was established that disordered silicon and stacking faults are basic defects in near-surface layers of oxidated monocrystalline silicon. It was shown that stacking faults are generated during the oxidation process, and the mechanism of their formation is connected with the defective layered structure of initial silicon wafers. It was established that defects of layered heterogeneity, on the one hand, lead to the formation of stacking faults and, on the other hand, prevent their propagation to the wafer bulk. | ||
| 12. |
Borschak V. A. Influence of internal parameters on the signal value in optical sensor based on the non-ideal heterostructure CdS-Cu2S [Електронний ресурс] / V. A. Borschak, Ie. V. Brytavskyi, V. A. Smyntyna, Ya. I. Lepikh, A. P. Balaban, N. P. Zatovskaya // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 1. - С. 41-43. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_1_12 | ||
| 13. | 
Boshernitsan V. I. Synthesis of CdS Nanocrystalsin the Gelatin Matrix with Different рН Values and their Optical Properties [Електронний ресурс] / V. I. Boshernitsan, V. A. Smyntyna, V. M. Skobeeva, N. V. Malushin // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 4. - С. 692-694. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_4_12 | ||
| 14. |
Nitsuk Yu. A. Photoluminescence of CdSe:Ni nanoparticles obtained by chemical method [Електронний ресурс] / Yu. A. Nitsuk, A.S. Leonenko, Yu.F. Vaksman, A.V. Korenkova, V.A. Smyntyna, Ie. V. Brytavskyi // Фотоэлектроника. - 2018. - № 27. - С. 18-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2018_27_5 | ||
| 15. |
Chebanenko A. P. The humidity and structuring additives influence on electrophysical characteristics of tin dioxide films [Електронний ресурс] / A. P. Chebanenko, L. M. Filevska, V. A. Smyntyna, N. S. Simanovich, S. GrinevychV. // Фотоэлектроника. - 2017. - № 26. - С. 5-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2017_26_3 Досліджено вплив концентрації структуруючої добавки та вологості на електрофізичні властивості плівок діоксиду олова. Зростання межелектродного опору плівок SnO | ||
| 16. |
Brytavskyi Ie. V. Silicon nanopillars forming and covering by Zn and ti oxides for solar energy applications and biosensorics [Електронний ресурс] / Ie. V. Brytavskyi, A. V. Tereshchenko, V. B. Myndrul, M. M. Pavlenko, V. A. Smyntyna // Фотоэлектроника. - 2017. - № 26. - С. 62-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2017_26_9 Мета роботи - розробка технології та характеризації кремнієвих наноструктур в поєднанні з покриттям оксидами металів для різних застосувань в біосенсориці та сонячній енергетиці. Описано спосіб неелектролітичного травлення, модифікованого використанням шару наносфер на підкладці, сформованого за допомогою методу поверхневого центрифугування. Метод атомно-шарового осадження, який використовувався для формування оксидів на наноструктурах, продемонстрував утворення рівномірного шару і не залежить від геометрії підкладки, тому його можна застосовувати як для плоских зразків, так і для підкладок з тривимірною структурою та пористими шарами. | ||
| 17. | 
Smyntyna V. A. Influence of Technology on the Formation of Luminescence Centers in CdS Quantum Dots [Електронний ресурс] / V. A. Smyntyna, V. M. Skobeeva, K. A. Verheles, N. V. Malushin // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 5. - С. 05031-1-05031-4. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2019_11_5_33 Наведено результати дослідження впливу процесу синтезу квантових точок сульфіду кадмію за колоїдно-хімічним методом у водному розчині желатини на їх оптичні і люмінесцентні властивості. Показано, що для розуміння механізму утворення дефектів в КТ CdS під час їх синтезу у водних розчинах необхідно враховувати результат перебігу процесу гідролізу і залежність його продуктів від величини pH розчину. На підставі розрахунку молярної концентрації компонентів гідролізу солі кадмію Cd(NO | ||
| 18. |
Nitsuk Yu. A. Optical properties of of ZnS:Fe nanochrystalls obtained by colloidal method [Електронний ресурс] / Yu. A. Nitsuk, Yu. F. Vaksman, I. V. Tepliakova, V. A. Smyntyna, G. V. Korenkova, Ie. V. Brytavskyi // Фотоэлектроника. - 2019. - № 28. - С. 5-10. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2019_28_3 | ||
| 19. | 
Kuskovsky I. L. Optical and electrical properties of Zn1-xBexSe grown by molecular beam epitaxy [Електронний ресурс] / I. L. Kuskovsky, Y. Gu, J. E. Spanier, I. P. Herman, G. F. Neumark, O. Maksimov, X. Zhou, M. C. Tamargo, V. A. Smyntyna, V. M. Belous // Журнал фізичних досліджень. - 2004. - Т. 8, Число 4. - С. 384-388. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jphd_2004_8_4_14 | ||
| 20. |
Chebanenko A. P. The ammonia vapors influence on the electrical characteristics of nanosized tin dioxide films obtained using a polymer [Електронний ресурс] / A. P. Chebanenko, L. M. Filevska, V. S. Grinevych, V. A. Smyntyna, O. S. Negrutsa // Фотоэлектроника. - 2020. - № 29. - С. 5-11. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Photo_el_2020_29_3 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |